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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
38
左右 -65% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
23
读取速度,GB/s
16.7
14.3
写入速度,GB/s
10.0
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2103
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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