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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
38
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
23
读取速度,GB/s
16.7
17.2
写入速度,GB/s
10.0
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3017
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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