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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
86
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
86
读取速度,GB/s
16.7
13.5
写入速度,GB/s
10.0
6.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
1469
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965684-005.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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