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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
42
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.0
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
42
读取速度,GB/s
16.7
15.7
写入速度,GB/s
10.0
13.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3033
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
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