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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
79
左右 -295% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
20
读取速度,GB/s
3,061.8
18.9
写入速度,GB/s
1,468.1
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
3022
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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