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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
比较
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
总分
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
总分
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
96
左右 64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
4.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
96
读取速度,GB/s
16.2
11.0
写入速度,GB/s
10.7
4.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2726
1062
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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