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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
17.3
写入速度,GB/s
870.4
13.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3359
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
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