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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
79
左右 -65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
48
读取速度,GB/s
3,061.8
16.8
写入速度,GB/s
1,468.1
13.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
2895
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
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