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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
25
读取速度,GB/s
11.7
15.1
写入速度,GB/s
7.2
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2310
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Corsair CML32GX3M4A1866C10 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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