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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
79
左右 -8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.1
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
73
读取速度,GB/s
3,061.8
14.1
写入速度,GB/s
1,468.1
7.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
1609
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
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