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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
79
左右 -147% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
32
读取速度,GB/s
3,061.8
15.9
写入速度,GB/s
1,468.1
10.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
2240
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
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