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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,069.2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
106
左右 -266% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
29
读取速度,GB/s
3,273.7
16.9
写入速度,GB/s
2,069.2
13.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
3285
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
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