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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
53
左右 49% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
53
读取速度,GB/s
11.8
15.4
写入速度,GB/s
7.3
13.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2863
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
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