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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,069.2
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
106
左右 -279% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
28
读取速度,GB/s
3,273.7
19.6
写入速度,GB/s
2,069.2
15.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
3807
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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