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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,069.2
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
106
左右 -253% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
30
读取速度,GB/s
3,273.7
18.6
写入速度,GB/s
2,069.2
15.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
3824
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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