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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,069.2
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
106
左右 -179% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
38
读取速度,GB/s
3,273.7
19.3
写入速度,GB/s
2,069.2
13.1
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
3246
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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