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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,069.2
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
106
左右 -231% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
32
读取速度,GB/s
3,273.7
15.2
写入速度,GB/s
2,069.2
10.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
2835
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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