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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
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规格
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
13.2
16.8
写入速度,GB/s
7.8
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2001
3143
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-011.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
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