RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
比较
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
总分
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
总分
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
89
左右 53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
89
读取速度,GB/s
13.2
14.2
写入速度,GB/s
7.8
7.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2001
1571
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link