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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
13.2
15.4
写入速度,GB/s
9.3
13.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3156
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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