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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
13.2
17.6
写入速度,GB/s
9.3
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3268
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
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