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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
13.2
17.1
写入速度,GB/s
9.3
12.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3222
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB RAM的比较
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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