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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
差异
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
13.2
15.1
写入速度,GB/s
9.3
9.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2750
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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