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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
差异
规格
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
43
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
35
读取速度,GB/s
13.2
15.3
写入速度,GB/s
9.3
10.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2559
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
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