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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
55
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
55
读取速度,GB/s
13.2
21.0
写入速度,GB/s
9.3
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2457
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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