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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
13.2
18.0
写入速度,GB/s
9.3
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3531
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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