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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Kingston K9CXF2-MIE 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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需要考虑的原因
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
13.2
15.8
写入速度,GB/s
9.3
9.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2597
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
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