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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
32
读取速度,GB/s
3,405.2
15.7
写入速度,GB/s
2,622.0
12.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2824
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
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Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
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