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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
13.2
15.8
写入速度,GB/s
9.3
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2761
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
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