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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

总分
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

总分
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

差异 规格 评论

差异

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 43
    左右 -16% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.4 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.6 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 15.4
  • 写入速度，GB/s
    9.3 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2285 left arrow 2321

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM的比较

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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Kingston 9905743-023.A00G 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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