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Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
比较
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 44% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
48
读取速度,GB/s
11.4
17.5
写入速度,GB/s
7.1
8.3
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1440
2196
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
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