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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.5
18.5
写入速度,GB/s
7.8
14.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1932
3402
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Frequency (Mhz) *
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
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