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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
26
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
22
读取速度,GB/s
13.5
17.2
写入速度,GB/s
7.8
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1932
3007
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
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