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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

总分
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

总分
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Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

差异 规格 评论

差异

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 36
    左右 28% 更低的延时
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB 需要考虑的原因
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.8 left arrow 13.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.2 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    13.5 left arrow 13.8
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 11.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1932 left arrow 2550

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM的比较

Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
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