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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
5.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
30
读取速度,GB/s
9.0
19.0
写入速度,GB/s
5.7
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1274
3655
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
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