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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
差异
规格
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Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.3
17.0
写入速度,GB/s
7.8
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
3408
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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