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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
41
读取速度,GB/s
12.7
18.0
写入速度,GB/s
7.5
11.0
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2813
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
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Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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