RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
41
Intorno 32% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
41
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2813
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link