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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Kingston 9905624-004.A00G 4GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
75
左右 -226% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
23
读取速度,GB/s
1,943.5
16.3
写入速度,GB/s
1,672.1
12.0
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
2512
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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