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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs INTENSO M418039 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
20
读取速度,GB/s
13.2
16.0
写入速度,GB/s
8.6
7.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2414
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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INTENSO M418039 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
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