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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Comparar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs INTENSO M418039 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Pontuação geral
INTENSO M418039 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
INTENSO M418039 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
27
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
20
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
7.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
2414
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
INTENSO M418039 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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