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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
139
左右 71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
139
读取速度,GB/s
12.3
14.4
写入速度,GB/s
7.8
6.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
1152
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
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