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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
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规格
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
40
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
22
读取速度,GB/s
12.3
16.1
写入速度,GB/s
7.8
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2646
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
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