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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
49
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
49
读取速度,GB/s
12.3
16.1
写入速度,GB/s
7.8
11.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2589
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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