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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
40
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
24
读取速度,GB/s
12.3
14.4
写入速度,GB/s
7.8
7.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2135
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
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Kingston 9905630-030.A00G 16GB
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