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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
4,217.2
15.2
写入速度,GB/s
1,857.7
10.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2773
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
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Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
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