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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
差异
规格
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
45
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
37
读取速度,GB/s
11.9
13.9
写入速度,GB/s
8.1
10.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2507
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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