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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.3
12.4
写入速度,GB/s
7.8
9.1
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2292
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
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