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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.3
17.9
写入速度,GB/s
7.8
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
3332
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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