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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Kingston 9905713-030.A00G 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.3
15.6
写入速度,GB/s
7.8
11.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2921
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
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